• <dl id="ss54c"><ins id="ss54c"><thead id="ss54c"></thead></ins></dl>
    <tbody id="ss54c"></tbody>
  • <dl id="ss54c"></dl>
    <div id="ss54c"><tr id="ss54c"></tr></div>
  • <div id="ss54c"></div>
    English
    联系我们
    网站地图
    邮箱
    旧版回顾



    大连化物所在二维材料谷极化特性研究方面取得新进展

    文章来源:大连化学物理研究所   发布时间:2019-03-22  【字号:     】  

      近日,中国科学院大连化学物理研究所研究员金玉奇、李刚等与新加坡南洋理工大学教授于霆和复旦大学教授?#28304;合?#21512;作,在二硫化钨谷极化特性研究方面取得新进展,相关研究成果以内封面文章?#38382;?#22312;英国皇家化学学会出版社的Nanoscale Horizons杂?#26087;?#21457;表。

      利用能谷自由度作为信息载体的谷电子学近年来吸引了科研人员的广泛关注,其在谷电子学器件领域具有潜在应用前景。控制电子在不同能谷中的数量,进而产生谷极化是制成谷电子学器件的先决条件,因此探索具?#26032;?#26834;性谷极化特性的材料成为该领域的研究热点。原子层薄的二硫化钨中,?#21363;?#21644;价带边缘均具有两个能量简并的谷,是一种实现谷电子学的潜在材料。对于单层二硫化钨,科研人员已掌握其反演非对称性所导致的与能谷相关的光学选择定则;对于具有可调的层间耦合作用的双层二硫化钨,其不但具?#24418;?#23450;的谷极化特性,而且反演对称的双层二硫化钨还具有比单层二硫化钨高的谷极化值。然而,科研人员对于双层二硫化钨?#26032;?#26834;性谷极化特性的准确机理的认?#24230;?#21313;分有限,这极大地限制了二硫化钨在谷电子学器件中的应用。

      该团队对不同衬底上具有不同层间堆垛结构的双层二硫化钨样?#26041;?#34892;了系?#36710;?#21464;?#30053;财?#25391;光致发光光谱研究,并首次报道了间接带隙发光峰强度与谷极化特性的关系。研究表明,声学模对于能谷极化过程起重要作用,这类振动模式在间接带?#23545;?#36801;过程中的消耗促成了双层二硫化钨中的显著谷极化特性。该工作中观察到的通过层间距可调的能谷极化特性,阐明了电声耦合在谷间散射过程中的重要作用,进而为未来开发基于二维材料的谷电子学器件具有科学指?#23478;?#20041;。

      该工作得到中国博士后科学基金面上项目、中科院重点实验室创新基金项目和大连化物所优秀博士后基金项目的资助。

     

    大连化物所在二维材料谷极化特性研究方面取得新进展

     

    大连化物所在二维材料谷极化特性研究方面取得新进展




    (责任编辑:?#24230;?#20248;)

    附件:

    专题推荐

    相关新闻


    © 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号  京公网安备110402500047号  联系我们

    地址:?#26412;?#24066;三里河路52号 邮编:100864

    河北快3豹子遗漏 河南20选5开奖结果 体育彩票36选7开奖结果查询 企鹅家族投注 不朽情缘哪里可以玩 河北福彩快三开奖公告 持枪王者游戏 奇才VS森林狼 36选7走势图怎么看 彩金水果拉霸输了几万 北京赛车pk10计划软件排名